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发明专利
已授权
一种ZnO修饰的SnO2基钙钛矿太阳能电池及制备方法
📄 申请号:CN201910554074.2
📄 发布日:2025/11/10
著录项目信息
申请日
2019-06-25
公开号
CN110311041B
公开日
2023-06-13
申请人
宁波大学科学技术学院
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
H10K30_85
IPC 分类号
H10K30_85
,
H10K30_80
,
H10K30_50
,
H10K30_40
,
H10K71_00
,
C01G19_02
,
B82Y30_00
,
B82Y40_00
,
技术画像
所属领域
钙钛矿太阳能电池
钙钛矿太阳能电池
电子传输层
金属氧化物半导体
应用场景
光伏发电, 太阳能光伏电站, 分布式光伏发电, 建筑一体化光伏, 可再生能源
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摘要
本发明公开了一种ZnO修饰的SnO2基钙钛矿太阳能电池及制备方法,包括依次层状分布的导电玻璃层、ZnO修饰层、SnO2电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层以及金属电极层。利用ZnO修饰层并不是直接对SnO2电子传输层和钙钛矿层的接触面进行修饰,而是反向设置在SnO2电子传输层远离钙钛矿层的一侧,从而对SnO2电子传输层靠近钙钛矿层的表面进行修饰,降低SnO2电子传输层的粗糙度。SnO2电子传输层的粗糙度降低更加进一步增加了钙钛矿的晶粒数量,晶粒之间竞争生长的原因降低了钙钛矿层的粗糙度。同时ZnO修饰层也能直接改善SnO2电子传输层和导电玻璃层之间的界面接触。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
20230613
✅ 授权
20191101
?? 实质审查的生效 :
20191008
📄 公开
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