发明专利已授权

纳米结构转印方法及利用堆栈方法制备多层纳米结构的方法

📄 申请号：CN201810319953.2 📄 发布日：2025/10/10

著录项目信息

申请日

2018-04-11

公开号

CN108528078A

公开日

2018-09-14

申请人

中山大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

B41M5_382

IPC 分类号

B41M5_382 , B41M5_42 , H01L51_56 ,

技术画像

所属领域

纳米结构微纳加工技术纳米压印转印工艺纳米结构

应用场景

半导体制造, 微电子器件, 柔性电子, 光学器件, 精密制造

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摘要

本发明提供一种纳米结构转印方法及利用堆栈方法制备多层纳米结构的方法，主要包括：在原始衬底上依次形成水溶性层、聚甲基丙烯酸甲酯层和纳米结构的胶层；在纳米结构的胶层上沉积金属膜；用蓝膜去除纳米结构的上层金属膜；将弹性衬底贴合到纳米结构上；将PMMA层及金属纳米结构和胶纳米结构转移至弹性衬底上；将所形成样品的PMMA层贴合至目标衬底上，并施加一定的压强和温度，使得PMMA层与目标衬底紧密贴合；等温度降至室温后，撕掉弹性衬底，去除胶纳米结构，从而将金纳米结构和PMMA层转印至目标衬底。利用该方法，可以将制备出的纳米结构有序地堆叠起来形成三维立体纳米结构，在微纳米材料加工方面具有重要前景。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20210330

✅ 授权

20181016

?? 实质审查的生效：

20180914

📄 公开

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