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著 录 项 目:
专利/申请号: | CN201911014859.7 | 专利名称: | 一种超高灵敏度磁场传感器 |
申请日: | 2019-10-24 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G01R33/02分类检索 传感器专利转让搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 【平台担保交易】 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要:本发明公开了一种超高灵敏度磁场传感器,属于磁场探测技术领域,包括N+硅衬底,在N+硅衬底上方形成绝缘体层,在绝缘体层上方形成硅外延层,硅外延层包括设置在中部的N+区和对称设置在外侧的P+区,两个P+区均依次通过对称设置的P-漂移区、P-沟道区与N+区相接;在P-沟道区上方依次设有栅介质层和栅极,在P-漂移区的上方设有场氧化层,以中间的N+区为中心,形成左右镜像对称的器件结构。该器件基于全耗尽SOI(silicon-on-insulator,绝缘体上硅)工艺实现,本发明提出的两个磁场传感器可以组成一个二维磁场传感器,能够对平行于器件平面的二维磁场进行检测。
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |