发明专利已授权

一种半导体真空二极管

📄 申请号：CN202110513830.4 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2021-05-07

公开号

CN113410110B

公开日

2023-08-08

申请人

南通职业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01J21_04

IPC 分类号

H01J21_04 , H01J19_24 , H01J9_12 , H01J9_00 ,

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件真空电子器件二极管

应用场景

电子电路, 高频通信, 电力电子, 传感检测

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摘要

本发明公开了一种半导体真空二极管，由电极A、介电体、半导体电极B三种材料层依次叠置而成，电极A为功函数较低的金属材质，介电体中间具有一个贯通的真空通道，电极B为重掺杂半导体材质；使用时，电极A、电极B分别连接直流电源的一个电极。本发明的二极管具有在高温高辐射环境下工作性能稳定，激发电子较多电流较大，对制备工艺中介质层膜厚工艺偏差容忍度高等优点。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

超混沌隐藏吸引子产生电路及其构建方法

同领域国内专利 · IPC: (H01J21_04)

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：12 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

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