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摘 要:本发明公开了一种半导体真空二极管,由电极A、介电体、半导体电极B三种材料层依次叠置而成,电极A为功函数较低的金属材质,介电体中间具有一个贯通的真空通道,电极B为重掺杂半导体材质;使用时,电极A、电极B分别连接直流电源的一个电极。本发明的二极管具有在高温高辐射环境下工作性能稳定,激发电子较多电流较大,对制备工艺中介质层膜厚工艺偏差容忍度高等优点。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202110513830.4 | 专利名称: | 一种半导体真空二极管 |
申请日: | 2021-05-07 | 申请/专利权人 | 南通职业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省南通市崇川区青年中路89号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01J21/04搜分类 半导体搜索 |
公开/公告日: | 2023-08-08 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN113410110B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |