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摘 要:本发明提供一种硅衬底悬空LED光波导集成光子器件及其制备方法,该器件利用各向异性硅刻蚀技术,剥离去除器件结构下硅衬底层和外延缓冲层,得到悬空氮化物薄膜LED光波导集成光子器件,进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术,获得超薄的硅衬底悬空LED光波导集成光子器件,降低LED器件的内部损耗,提高出光效率。本发明器件将光源和光波导集成在同一片晶圆上,解决了平面光子单片集成的难题,同时可使LED发出的光沿着光波导传输,解决光在光波导内传输的难题,实现光在平面传输的功能。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201510752581.9 | 专利名称: | 硅衬底悬空LED光波导集成光子器件及其制备方法 |
申请日: | 2015-11-06 | 申请/专利权人 | 南京邮电大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省南京市鼓楼区新模范马路66号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G02B6/122搜分类 LED 波导搜索 |
公开/公告日: | 2018-09-25 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN105445854B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |