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| 专利/申请号： | CN201310150190.0 | 专利名称： | 带隙基准电路 |
| 申请日： | 2013-04-26 | 申请/专利权人 | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | G05F1/56 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2016-06-29 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN104122918B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 102 | 所属领域： | 其他专利转让搜索 |
摘 要：本发明涉及一种带隙基准电路，其包括，一基准电压源VREF，所述基准电压源VREF拉伸门电压V_REG实现内部预稳压，并形成内部预稳压电路；一带隙核心电路，所述带隙核心电路设有提高电源抑制比的自偏置共源共栅放大电路；一负反馈电路，所述负反馈电路为所述带隙核心电路提供一个经过稳压后的电源电压VDD；一启动电路，所述启动电路在工作开始时拉伸所述基准电压源VREF使得所述自偏置共源共栅放大电路正常工作。本发明的带隙基准电路通过负反馈电路为带隙核心电路提供一个经过稳压后的电源电压，同时在内部采用自偏置共源共栅放大电路来提高电源抑制比，节省了面积和功耗。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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