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摘 要:本发明涉及一种场致发射电子源的驱动控制电路,包括场致发射电子源,还包括脉冲信号输入端、保护电阻、可调电阻以及开关管;所述脉冲信号输入端与所述保护电阻的一端连接,用于输入脉冲信号;所述保护电阻的另一端连接所述开关管的控制端,所述开关管的低压端接地,所述开关管的高压端与所述可调电阻的一端连接,所述可调电阻的另一端连接所述场致发射电子源的场发射阴极,所述场致发射电子源的栅控门极用于连接直流电源。本发明在IGBT的输入极(即栅极)接入保护电阻,当有过冲电流时,保护电阻两端电压增大,IGBT栅极与发射极之间的电压减小,从而抑制电流过冲。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201310476396.2 | 专利名称: | 场致发射电子源的驱动控制电路 |
申请日: | 2013-10-12 | 申请/专利权人 | 深圳先进技术研究院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01J35/02搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 2016-02-24 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN103531421B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |