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摘 要:本发明提供一种光纤温度传感器硫化镉薄膜的制备方法,包括如下步骤:将光纤固定于插芯后,将所述光纤的裸露端面打磨;镀膜:将硫脲、硫酸镉和氨水按照质量‑体积比为5.694g:0.184g:45mL混合溶于去离子水中形成反应液;然后将所述裸露端面插入所述反应液中,利用化学水浴法在温度为65℃,反应9min,完成一次硫化镉薄膜的镀膜;重复所述镀膜步骤至n次,获得沉积有n+1层硫化镉薄膜的裸露端面,n为大于0的自然数;将经过所述重复镀膜步骤获得的光纤在200℃温度下退火处理。本发明采用化学水浴法镀硫化镉薄膜,这种方法可使硫化镉膜与光纤端面紧密结合,且镀膜厚度可控。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201610316151.7 | 专利名称: | 光纤温度传感器及其硫化镉薄膜的制备方法 |
申请日: | 2016-05-12 | 申请/专利权人 | 深圳先进技术研究院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C23C18/31搜分类 纳米材料 光纤温度传感器 硫化搜索 |
公开/公告日: | 2019-03-12 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN107365983B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |