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| 专利/申请号: | CN201910204380.3 | 专利名称: | 一种具有p型导电性的四方相BiVO4薄膜的制备方法及所得产品和应用 |
| 申请日: | 2019-03-18 | 申请/专利权人 | 广州塔塔电子科技股份有限公司 |
| 专利类型: | 发明 | 地址: | 广东省广州市黄埔区伴河路96号1栋201房 |
| 专利状态: | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号: | B01J23/22 分类检索 |
| 公开/公告日: | 2022-12-27 | 转让价格: | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号: | CN218160339U | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量: | 53 | 所属领域: | 纳米材料专利转让搜索 |
摘 要:本发明公开了一种具有p型导电性的四方相BiVO4薄膜的制备方法及所得产品和应用,其步骤为:将可溶性铋盐和可溶性钒盐先分别配成溶液;将铋盐溶液和钒盐溶液混合,调节pH至酸性,将FTO玻璃浸入到所得溶液中,移至反应釜进行水热反应,得到产品。本发明采用水热法首次合成出了具有p型导电性的四方相BiVO4薄膜,该方法制备工艺简单,合成条件易于控制,所得BiVO4薄膜为四方锆石晶相,具有p型导电性,形貌新颖、单一,微观形貌重复性好,并且结晶性好、稳定性良好,作为光阴极在不加外电压的情况下可实现光分解水产氢,具有广阔的应用前景。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
| 专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
| 专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
| 解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
| 专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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