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摘 要:本发明提供了一种具有缺陷的钴掺杂二硫化铁多孔中空花状纳米粉体的制备方法及电催化应用。首先,制备铁、钴反应液,加热合成无定形钴铁氧体纳米粉体;然后溶剂热法进行硫化反应制得钴掺杂二硫化铁花状纳米粉体;最后,在惰性气体保护下退火处理,得到有缺陷的钴掺杂二硫化铁多孔中空花状纳米粉体。有缺陷的钴掺杂二硫化铁多孔中空花状纳米粉体应用到电催化产氧反应(OER)具有优异的催化性能,过电位低至0.270 V(相对标准氢电极),塔菲尔斜率低至40 mV/dec。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201811512094.5 | 专利名称: | 一种缺陷的钴掺杂二硫化铁多孔中空花状纳米粉体的制备方法及电催化应用 |
申请日: | 2018-12-11 | 申请/专利权人 | 济南大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 山东省济南市市中区南辛庄西路336号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C01G49/12搜分类 纳米材料搜索 |
公开/公告日: | 2019-03-19 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN109485103A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |