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摘 要:本实用新型涉及一种延长MOS管使用寿命的保护电路结构,包括RC保护电路,一端与MOS管的漏极相连接,另一端与MOS管的源极相连接;MOS管的栅极与控制管脚相连接;MOS管的漏极正向偏置;MOS管的源极反向偏置。采用了本实用新型的延长MOS管使用寿命的保护电路结构,改善了常用的MOS管保护器件在电路断电后,由于反向瞬态感应电动势的存在对MOS管的破坏作用,基于阻容放电特性,在MOS管两端加阻容保护电路,使瞬态感应电动势破坏作用消失,成本低,操作简便,适用范围较为广泛。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201822165266.8 | 专利名称: | 延长MOS管使用寿命的保护电路结构 |
申请日: | 2018-12-21 | 申请/专利权人 | 上海市共进通信技术有限公司 |
专利类型: | 实用新型 | 地址: | 上海市徐汇区虹梅路1905号远中科研楼7楼 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H02H9/04搜分类 电路板搜索 |
公开/公告日: | 2019-07-09 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN209088539U | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |