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摘 要:本发明公开了一种FET氢气传感器及其制备方法,涉及氢气检测设备技术领域,旨在解决现有技术中氢气传感器存在响应时间长、低灵敏度、高浓度检测分辨率低、成本高、选择性不足等问题,所述氢气传感器从下到上依次包括衬底、沟道层、栅介质层、FET电极、隔离层、缓冲层、氢气感应层和叉指电极,还提供氢气传感器的制备方法。本发明可提供多种氢气检测方案,从而有效实现低浓度氢气的高分辨率检测,具有广阔的应用场景。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202410494694.2 | 专利名称: | 一种FET氢气传感器及其制备方法 |
申请日: | 2024-04-24 | 申请/专利权人 | 南京信息工程大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省南京市江北新区宁六路219号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G01N27/414搜分类 报警器搜索 |
公开/公告日: | 2024-06-25 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN118090867B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |