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摘 要:本发明公开了一种eGaN HEMT功率变换器驱动电阻的选择方法。步骤主要包括:依照半导体器件数据表将部分非线性参数进行曲线拟合,得到对应的线性关系,并且依据线性化的结果,得到线性化的器件模型;统计等效电路中的全部变量,并且对部分变量进行简化,以简化后的变量为基础,对功率变换器的开关过程以及振铃阶段进行建模;计算并设置初值,使用数学工具对所建模型进行求解,对比模型分析结果与实验结果。本发明相比传统的eGaN HEMT开关过程分析方法,具有着近似的精确性但方法简单,能够帮助工程师们更好的设计驱动电路并使用eGaN HEMT。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202211435921.1 | 专利名称: | 一种eGaNHEMT功率变换器驱动电阻的选择方法 |
申请日: | 2022-11-16 | 申请/专利权人 | 广东工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 广东省广州市越秀区东风东路729号大院 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G06F30/367搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 2023-03-28 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN115859889A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |