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摘 要:本发明属于微纳米制造技术领域,具体涉及一种内部球形缺陷规则排列的三维光子晶体的制备方法。包括:S1、在硅基光子晶体表面蚀刻规则排列的阵列微孔;S2、将蚀刻后的硅基光子晶体置于超声耦合高温成型装置,所述超声耦合高温成型装置包括高温加热器及其外部布设的超声波换能器;S3、调节超声波换能器产生的超声驻波的频率和功率,通过热‑声耦合作用成型得到内部缺陷规则排列的硅基三维光子晶体。本发明针对恒温环境下硅基光子晶体内部空腔的成型常存在形状不定和位置偏移等问题,引入超声驻波来定位内部缺陷结构成型的位置,从而实现硅基内部产生周期性规则排列的空腔结构,为高Q值的硅基三维光子晶体内部腔体位置的调控提供新的思路。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201910414264.4 | 专利名称: | 一种内部缺陷规则排列的三维光子晶体的制备方法 |
申请日: | 2019-05-17 | 申请/专利权人 | 杭州电子科技大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 浙江省杭州市经济技术开发区白杨街道2号大街1158号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C30B30/00搜分类 微纳米 硅基材料 激光加工 芯片 半导体 传感器 电子元器件搜索 |
公开/公告日: | 2020-06-12 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN110016720B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |