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摘 要:本发明公开了一种基于钙钛矿材料的阻变存储器及其制备方法,涉及半导体材料及功能器件技术领域。本发明的阻变存储器从上至下依次包括顶电极、卤化物钙钛矿层、二氧化钛薄膜层、底电极和玻璃基底,其中:所述卤化物钙钛矿材料中掺杂有Zr元素,所述的卤化物钙钛矿层材料的分子通式为ABX3,其中:A=CH3NH3或Cs;B=Pb;X=Cl,Br或I。本发明仅通过在底电极与钙钛矿薄膜层之间添加一层二氧化钛薄膜,同时在钙钛矿薄膜中掺入Zr元素,使本发明制得的阻变存储器的开关比和稳定性明显提高,器件功耗显著减低。另外,本发明原料来源广泛,成本低,制备工艺简单,有利于产业化应用,具有良好的市场应用前景。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810819083.5 | 专利名称: | 一种基于钙钛矿材料的阻变存储器及其制备方法 |
申请日: | 2018-07-24 | 申请/专利权人 | 湖北大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L51/05搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 2020-01-31 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN108922965B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |