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摘 要:一种JFET型自激式交错并联Sepic变换器,包括电感L1、电感L2、可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J1、可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J2、电容C1、电容C2、二极管D1、二极管D2、电感L3、电感L4、二极管D3、二极管D4、电容Co、驱动支路1和驱动支路2,所述驱动支路1中,当可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J2导通时,其端口a1产生负电压关断可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J1;所述驱动支路2中,当可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J1导通时,其端口a2产生负电压关断可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J2。本发明具有低输入电压启动、宽输入电压范围工作和高效率的特点。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810839004.7 | 专利名称: | JFET型自激式交错并联Sepic变换器 |
申请日: | 2018-07-27 | 申请/专利权人 | 河南城建学院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 河南省平顶山市新城区龙翔大道 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H02M3/155搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 2024-02-20 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN108880238B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |