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摘 要:本发明属于金属复合材料及其制备技术领域,提供了一种多孔Cu‑SiC复合膜及其制备方法,其制备方法包括如下步骤:S1、准备基片;S2、安装靶位;S3、制备Cu3N‑SiC复合膜;S4、制备多孔Cu‑SiC复合膜,将Cu3N‑SiC复合膜置于惰性气体环境进行退火处理,得到均匀分布的多孔Cu‑SiC复合膜。本发明通过利用Cu3N薄膜的较低的分解温度,分解为单质铜和氮气,双靶共溅射,可以使得方便改变铜靶的溅射功率,有效调控薄膜中铜或SiC的含量,方便、有效调控复合膜内SiC的体积分布、粒度大小和金属的成份,工艺简单,膜与基片结合紧密、孔径细小均匀,Cu‑SiC薄膜孔隙分布均匀。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202111087506.7 | 专利名称: | 一种多孔Cu-SiC复合膜及其制备方法 |
申请日: | 2021-09-16 | 申请/专利权人 | 桂林理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 广西壮族自治区桂林市七星区建干路12号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C23C14/06搜分类 多孔搜索 |
公开/公告日: | 2023-08-11 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN113755794B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |