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摘 要:本发明公开了一种固态硬盘页级闪存转换层设计方法。本发明将NAND闪存划分为两个部分:数据块区域和翻译块区域,数据块区域用于储存常规用户数据,翻译块区域只储存映射信息,且整个闪存采用基于页的映射。RAM被分为W‑CMT、R‑CMT、GTD三个部分:W‑CMT用于储存高访问频次的写数据映射信息;R‑CMT用于储存高访问频次的读数据映射信息、GTD用于记录映射块中的地址映射项。本发明实现高灵活性的页级映射的同时,极大程度上减少由于数据更新导致的翻译页频繁更新,进而提升整体系统性能,延长固态硬盘使用寿命。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201811038059.4 | 专利名称: | 一种固态硬盘页级闪存转换层设计方法 |
申请日: | 2018-09-06 | 申请/专利权人 | 杭州电子科技大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G06F12/123搜分类 计算机硬件搜索 |
公开/公告日: | 2023-02-28 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN109446117B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |