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摘 要:本发明公开了一种主动式抑制碳化硅膨胀的高温封装装置,封装装置在芯片基板上构造多层封装层,每层封装层冷却定型后再行注入新的封装层材料,每层封装层之间构造处热界面,造成热阻,将多层封装层的热胀量进行拆分,使用外部封装层对内部封装层进行热胀束缚,主动抑制碳化硅基板及其上芯片核心的热胀程度。封装装置包括压合模具、注料管,压合模具内构建封闭封装腔,注料管连接到压合模具上并深入封装腔内,封装腔容积可变,封装腔具有至少三级容积值。或者压合模具设置到陀螺架上,注料管具有独立的朝向封装腔的注液压力和背向封装腔的抽出负压,封装装置通过多次附着封装材料并冷却制备多层封装层,每层封装层冷却定型过程陀螺架进行转动。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202210446211.2 | 专利名称: | 一种主动式抑制碳化硅膨胀的高温封装装置 |
申请日: | 2022-04-26 | 申请/专利权人 | 扬州港信光电科技有限公司 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省扬州市高邮经济开发区洞庭湖路 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | B29C45/14搜分类 主动搜索 |
公开/公告日: | 2023-08-29 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN114939953B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |