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摘 要:本发明提供了一种有机单晶微米带P‑N异质结阵列的生长方法。该方法包括:提供一基底,并对基底进行光刻以获得负性的光刻胶阵列;利用疏水型的单分子层溶液对光刻胶阵列进行修饰,以获得光刻胶模板;将光刻胶模板按照竖向放置的方式浸入N型材料的溶液中,直至光刻胶模板完全浸入N型材料的溶液后取出光刻胶模板,以在光刻胶模板上形成N型单晶微米带;将光刻胶模板按竖向放置的方式浸入P型材料的溶液中,直至光刻胶模板完全浸入P型材料的溶液后取出光刻胶模板,以在光刻胶模板上形成P型单晶微米带,从而形成有机单晶微米带P‑N异质结阵列。制备的微米带P‑N异质结阵列均为单晶材料,且可以准确定位生长具有上下叠层结构的P‑N异质结。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810176116.9 | 专利名称: | 一种有机单晶微米带P-N异质结阵列的生长方法 |
申请日: | 2018-03-02 | 申请/专利权人 | 苏州大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省苏州市工业园区仁爱路199号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C30B29/54搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 2019-08-30 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN108342779B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |