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摘 要:本发明涉及一种(CrZrTiNbV)N高熵陶瓷块体及其制备方法,属于高熵化合物材料制备技术领域,所述高熵陶瓷块体为单相面心立方结构的陶瓷,包括以下摩尔比的氮化物:18%~22%的CrN、18%~22%的VN、18%~22%的NbN、18%~22%的TiN、其余为ZrN;所述制备方法包括三个步骤:预合金化陶瓷粉体的制备、高熵陶瓷粉体的制备和高熵陶瓷块体的制备。本发明有效地降低了烧结温度,实现了(CrZrTiNbV)N高熵陶瓷块体的热压烧结,得到具有单相面心立方(FCC)结构的高熵陶瓷,丰富了陶瓷材料体系,制备的高熵陶瓷块体晶粒细小,断裂韧性相比于原料粉体有了显著的提升。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202110168120.2 | 专利名称: | 一种(CrZrTiNbV)N高熵陶瓷块体及其制备方法 |
申请日: | 2021-02-07 | 申请/专利权人 | 燕山大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 河北省秦皇岛市海港区河北大街438号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C04B35/58搜分类 陶瓷 C R 港口搜索 |
公开/公告日: | 2022-02-11 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN113004047B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |