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| 专利/申请号： | CN202111641899.1 | 专利名称： | 一种低介电常数高品质因数的微波介质陶瓷及其制备方法 |
| 申请日： | 2021-12-30 | 申请/专利权人 | 杭州电子科技大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 浙江省杭州市杭州经济技术开发区白杨街道2号大街1158号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | 分类号： | C04B35/553分类检索 陶瓷专利转让搜索 |
| 公开/公告日： | 2022-11-18 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN114163242B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要：本发明公开了一种低介电常数高品质因数的微波介质陶瓷及其制备方法，本发明的微波介质陶瓷的化学组成表达式为MgAlF5，其相对介电常数为6.5～7.7，品质因数为31400～40500GHz，本发明的微波介质陶瓷具有十分优异的低介电常数与高品质因数性能组合，在未来微波通讯系统无源器件中有非常广泛的应用前景。本发明的一种低介电常数高品质因数的微波介质陶瓷的制备方法采用固相反应法制备工艺，工艺简单，重复性好且合成的物相稳定单一。此外，本发明的一种低介电常数高品质因数的微波介质陶瓷的制备方法以全氟化物为反应原料，烧结温度不高于1200℃，相比于其他氧化物陶瓷，如MgAl2O4（1450℃）等烧结温度降低了275℃以上，能大大节约大规模工业生产的成本。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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