发明专利已授权

一种基于宽禁带材料的垂直结构真空沟道晶体管及其制备方法

Name: 一种基于宽禁带材料的垂直结构真空沟道晶体管及其制备方法
Brand: 南京信息工程大学
SKU: 2023115020897
Availability: InStock

📄 申请号：CN202311502089.7 📄 发布日：2026/08/10

著录项目信息

申请日

2023-11-13

公开号

CN117238738B

公开日

2024-02-20

申请人

南京信息工程大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01J31_06

IPC 分类号

H01J31_06 , H01J29_46 , H01J9_14 , H01J9_00 , B82Y10_00 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件宽禁带半导体真空微电子器件

应用场景

高频通信, 功率电子器件, 抗辐射电子器件, 真空微电子技术, 射频放大器

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摘要

本发明公开了一种基于宽禁带材料的垂直结构真空沟道晶体管及其制备方法，所述晶体管包括：衬底、第一电极、第一介质层、第二电极、栅阻挡介质、第二介质层、第三电极和若干个沟道；依次从下至上设置包括衬底、第一电极、第一介质层、第二电极、栅阻挡介质、第二介质层、第三电极；本发明可以使晶体管在尺寸上压缩的更小，真空纳米沟道的尺度小于电子在空气中的平均自由程，使得载流子在沟道内部的输运满足场致电子发射或隧穿的形式，具有高响应速度、高截止频率；沟道向内凹，降低电子与介质层的碰撞，提高器件稳定性。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20240220

✅ 授权

20240102

?? 实质审查的生效：

20231215

📄 公开

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