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摘 要:本发明涉及纳米图形化领域,具体涉及一种具有微纳图形结构的掩膜板制作方法和纳米光刻工艺,在硅片衬底上,利用图形化工艺定义需要进行刻蚀的图形;对硅片表面进行各向异性刻蚀,通过控制刻蚀过程,在硅片上制备特定形状和特定尺寸的微纳图形排列结构;将聚合物溶液涂在具有特定形状的微纳图形排列结构的硅片表面上,将硅片表面的微纳图形结构转印在聚合物上;取出转印后的聚合物,具有微纳图形结构的聚合物作为光刻掩膜板,用于光刻制备微纳图形。本发明同时具备成本低、简单、高效、可灵活调控图形的特征尺寸和几何形状的优点,该工艺可通过调整聚合物掩膜版的图形尺寸,实现全反射式的光刻曝光技术。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810202020.5 | 专利名称: | 一种具有微纳图形结构的掩膜板制作方法和纳米光刻方法 |
申请日: | 2018-03-12 | 申请/专利权人 | 中山大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 广东省广州市海珠区新港西路135号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G03F1/52搜分类 纳米搜索 |
公开/公告日: | 2018-09-28 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN108594595A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |