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发明专利
已授权
一种掺杂钙钛矿电池及其制备方法
📄 申请号:CN201910400550.5
📄 发布日:2026/08/10
著录项目信息
申请日
2019-05-15
公开号
CN110137360B
公开日
2023-04-07
申请人
南京信息工程大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
H10K85_50
IPC 分类号
H10K85_50
,
H10K30_00
,
H10K71_12
,
H10K71_40
,
技术画像
所属领域
钙钛矿电池
钙钛矿电池
应用场景
太阳能发电, 光伏发电, 可再生能源, 清洁能源
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摘要
本发明公开了一种掺杂钙钛矿电池及其制备方法,该掺杂钙钛矿电池包括FTO导电玻璃层、致密二氧化钛薄膜层、介孔二氧化钛薄膜层、钙钛矿薄膜层、空穴传输层和金电极层,其中钙钛矿薄膜层为SrCl2掺杂钙钛矿薄膜。本发明的钙钛矿电池经过30天的光电性能测试,光电转换效率只减少了原来的10%左右;本发明掺杂钙钛矿电池的制备方法制得的钙钛矿电池拓宽了光的吸收范围,提升了钙钛矿电池在光线微弱的环境下光电转换性能的稳定性。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
20230407
✅ 授权
20190910
?? 实质审查的生效 :
20190816
📄 公开
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