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摘 要:本发明公开一种密致四面体颗粒In2O3的导电薄膜及其制备方法,该材料是在抛光过的Ti板表面,通过磁控溅射技术制备出大面积的密致韧性,平整有序的In2O3导电薄膜;该薄膜材料具有良好的导电性能、光透过率与力学特性,可作为新型的导电薄膜或薄膜生物传感器等器件进行大批量生产。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201510163327.5 | 专利名称: | 一种密致的In2O3导电薄膜的制备方法 |
申请日: | 2015-04-08 | 申请/专利权人 | 浙江理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 浙江省杭州市杭州经济技术开发区白杨街道2号大街928号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01B1/08搜分类 塑料 膜的制备方法搜索 |
公开/公告日: | 2017-01-11 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN104867532B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |