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24小时咨询热线摘 要：本发明公开了一种低温反应烧结碳化硅陶瓷膜的制备方法。采用碳化硅粉、硅粉、碳黑、NaCl‑KCl熔盐、高岭土、羧甲基纤维素钠、PVP、甘油和水等原料，通过配料、混料成泥、成型、干燥、烧结和浸水除盐等工艺制备碳化硅陶瓷膜。本发明通过硅与碳固相反应烧结生成的β‑SiC新相及熔盐液相反应将SiC原料颗粒黏连成连续的多孔陶瓷支撑体，表面形成由SiC纳米纤维交织构筑的纳米孔隙，体积密度小，具有烧结温度低、氧化物含量少、内部孔隙率高、表面为纳米孔隙和耐酸碱等特点。
著 录 项：
| 专利/申请号： | CN202111458282.6 | 专利名称： | 一种低温反应烧结碳化硅陶瓷膜的制备方法 |
| 申请日： | 2021-12-02 | 申请/专利权人 | 浙江理工大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 浙江省杭州市江干经济开发区2号大街928号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | 分类号： | C04B38/06搜分类 冰箱冰柜 硅 低 港口 烧结 陶瓷 膜的制备方法 碳化硅陶瓷搜索 |
| 公开/公告日： | 2022-02-01 | 转让价格： | 面议 |
| 公开/公告号： | CN113999046A | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2023/03/10 | 授权 | |
| 2022/02/22 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): C04B 38/06 专利申请号: 202111458282.6 申请日: 2021.12.02 |
| 2022/02/01 | 公开 |
