一种低温等离子体技术制备氧缺陷型钨酸铋光电极的方法

摘     要：本发明涉及一种低温等离子体技术制备氧缺陷型钨酸铋光电极的方法，具体步骤为：通过水热法在FTO导电玻璃表面生长WO3纳米板，以WO3薄膜为牺牲模板，滴加硝酸铋的水溶液，干燥，高温煅烧，WO3和硝酸铋发生固相反应，制备出高结晶性的钨酸铋纳米片；后以空气、氧气、氮气或者氢气为反应性气体，采用低温等离子体技术对钨酸铋薄膜表面进行处理，通过等离子体的自由基引发钨酸铋薄膜表面的化学反应，在钨酸铋薄膜表面引入氧空位。本发明制备的氧缺陷型钨酸铋薄膜亲水性好，电导率高，界面电荷转移快，有效提升了水分解的氧化电流。低温等离子体技术处理钨酸铋薄膜工艺简单，时间短，能耗低，环境友好，适于大规模处理半导体光电极。

著 录 项： 

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期

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