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摘 要:本发明涉及集成光波导三维电场传感器,属电场测量领域。本发明包括集成光波导一维电场传感器:在一片铌酸锂晶片表面使用质子交换方法制作一个两端为Y形光波导,中间为平行光波导构成的M‑Z光波导干涉仪,在中间某一直波导臂两侧制作两片与直波导平行的金属电极,并制作与金属电极垂直相连接的金属偶极子天线;集成光波导二维电场传感器:通过在一片铌酸锂晶片表面采用质子交换方法形成一个Y形光波导,其中Y形光波导的两个波导臂为两个M‑Z光波导结构;在这两个M‑Z光波导干涉仪的直波导臂两侧制作金属电极和天线,并且使制作在两个M‑Z光波导干涉仪上的天线互相垂直。本发明体积小、空间分辨率高、对被测电场的干扰小。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201711175520.6 | 专利名称: | 一种集成光波导三维电场传感器 |
申请日: | 2017-11-22 | 申请/专利权人 | 昆明理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 云南省昆明市五华区学府路253号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G01R29/12搜分类 传感器 三维 波导搜索 |
公开/公告日: | 2021-01-05 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN108120883B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |