一种Ga元素掺杂In2O3(ZnO)3热电材料及其制备方法与应用

来源：https://www.shizifang.com 发布日：2023/10/23

摘要：本发明公开了一种结晶度高、杂质少、致密度高、热导率低的Ga元素掺杂In2O3(ZnO)3热电材料及其制备方法与应用。所述的结晶度高、杂质少、致密度高、热导率低的Ga元素掺杂In2O3(ZnO)3热电材料是以In2O3、ZnO和Ga2O3为原料制备得到，所述的所述的结晶度高、杂质少、致密度高、热导率低的Ga元素掺杂In2O3(ZnO)3热电材料为超晶格结构，在973K高温下：热导率为1.40～1.65 Wm‑1K‑1，ZT值在0.15~0.25；且在温度700℃下均不发生相变。本发明提供Ga元素掺杂提高In2O3(ZnO)3热电优值的方法，可用于In2O3(ZnO)3掺杂样品的制备以及性能的提高，工艺简单，可重复性高。该方法通过掺杂量来控制In2O3(ZnO)3的成相度、致密度、微结构；所制得的Ga元素掺杂In2O3(ZnO)3氧化物结晶度高、杂质少、致密度高、热导率低以及热电性能高等特性。

著录项：

专利/申请号：	CN201811534550.6 复制	专利名称：	一种Ga元素掺杂In2O3(ZnO)3热电材料及其制备方法与应用复制
申请日：	2018-12-14	申请/专利权人	昆明理工大学
专利类型：	发明	地址：	云南省昆明市一二一大街文昌路68号
专利状态：	已下证查询审查信息	分类号：	C04B35/453搜分类发电材料及其制备方法 Zn搜索
公开/公告日：	2021-09-10	转让价格：	面议
公开/公告号：	CN109503147B	交易状态：	等待洽谈搜索相似专利

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1．买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
2．卖家确认专利可交易；
3．买家支付交易款项到平台；
4．买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
5．办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
6．买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
7．平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。

专利转让材料

交易方	企业	个人
买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

专利法律信息

日期	法律信息	备注
2021/09/10	授权
2019/04/16	实质审查的生效	IPC(主分类): C04B 35/453 专利申请号: 201811534550.6 申请日: 2018.12.14
2019/03/22	公开

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