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摘 要:本发明公开一种稀土离子掺杂氯氧化铋半导体材料及其制备方法,属于发光材料技术领域。本发明所述半导体材料的通式为Bi0.89Ho0.01Yb0.1NdxOCl,其中X=0~0.03,0≤x≤0.03,其制备方法是将KCl,Nd2O3,Yb2O3,Ho2O3,Bi(NO3)3▪5H2O,去离子水等原材料混合后通过水热法制备得到几种稀土离子掺杂卤氧化铋半导体荧光粉。本发明所述方法制备的卤氧化铋半导体荧光粉物理化学性质稳定,制备方法简单、原材料的成本低,具有优异的上转换发光性能,并且可以实现颜色可调,在荧光灯,光波导放大器等光学器件领域存在潜在的应用。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201910236887.7 | 专利名称: | 一种稀土离子掺杂氯氧化铋半导体材料及其制备方法 |
申请日: | 2019-03-27 | 申请/专利权人 | 昆明理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 云南省昆明市五华区学府路253号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C09K11/86搜分类 稀土材料 氯氧化铋 材料及其制备方法 稀土离子搜索 |
公开/公告日: | 2021-09-28 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN109943336B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2021/09/28 | 授权 | |
2019/07/23 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): C09K 11/86 专利申请号: 201910236887.7 申请日: 2019.03.27 |
2019/06/28 | 公开 |