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摘 要:本发明属于量子点技术领域,提供了一种锰碲掺杂锗量子点及其制备方法和应用。本发明提供的锰碲掺杂锗量子点,相比MnxGe1‑x量子点掺杂了碲,碲的掺杂减少了Mn沉淀析出相的含量,提高了离子相(Mn2+)的掺杂量,进而提高了所得锰碲掺杂锗量子点的居里温度和磁矩,进而使其能够更好地作为半导体材料应用于自旋场效应晶体管和储存器中。实施例表明,本发明的锰碲掺杂锗量子点的密度为300~625/μm‑2,居里温度为27~319K(超过室温),剩磁为0.5×10‑5~1.6×10‑5emu/mm2,矫顽力为182~307Oe,磁饱和强度为3000~6150Oe。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202210086342.4 | 专利名称: | 一种锰碲掺杂锗量子点及其制备方法和应用 |
申请日: | 2022-01-25 | 申请/专利权人 | 云南大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 云南省昆明市翠湖北路2号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C30B29/52搜分类 锰 锗 港口搜索 |
公开/公告日: | 2022-11-11 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN114427114B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |