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摘 要:本发明公开一种La离子掺杂PZT基压电陶瓷材料及其制备方法,属于电器元件及其材料制造技术领域。所述陶瓷材料组成为:Pb0.98Ga0.02(Zr0.52Ti0.48)0.96Ta0.04O3+xwt%La2O3,其中x=0.1~1;制备方法为:将原料混合,球磨,烘干后预烧;再经过二次球磨后,烘干,过筛,得到陶瓷粉体;造粒后压制成坯体进行排胶;然后烧结得到压电陶瓷片;再将压电陶瓷片涂覆银电极后煅烧,再置于硅油中进行极化制得PZT基压电陶瓷片。本发明制得的压电陶瓷片,居里温度Tc在390~440℃,压电常数d33在280~320pC/N,相对介电系数εr在1380~1460;该新型材料从常温至高温可反复或长期使用,可应用于高温条件下的各种压电传感器、换能器元器件及电力测量、自动控制等领域。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201710741647.3 | 专利名称: | 一种La离子掺杂PZT基压电陶瓷材料及其制备方法 |
申请日: | 2017-08-25 | 申请/专利权人 | 昆明理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 云南省昆明市五华区学府路253号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C04B35/493搜分类 陶瓷 电陶瓷 陶瓷材料 P L 材料及其制备方法 压电陶瓷搜索 |
公开/公告日: | 2021-03-02 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN107540373B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |