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摘 要:本发明涉及一种高硅氧化铜矿深度分离与富集铜的方法,依次包括下列步骤:1)粉料制备;2)预干燥;3)混料:将干燥后的粉料与强化分解剂均匀混合,制得混合料;4)元素分离;5)组元分离;6)组元富集:对上述所得矿浆进行浮选,获得硫化铜精矿和石英尾矿;本发明实现了有价金属铜由极难选结合氧化铜向极易选的硫化铜的转变,扩大了氧化铜资源开发利用范围;强化分解剂的添加增加了硅孔雀石热分解驱动力,使得硅孔雀石晶体中铜元素以硫化铜的形式分离出来,硅元素重组为二氧化硅,实现了元素铜的分离;得到的硫化铜精矿含铜大于50%,远远高于硅孔雀石理论含铜量,可直接作为一步炼铜原料。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202111303786.0 | 专利名称: | 一种高硅氧化铜矿深度分离与富集铜的方法 |
申请日: | 2021-11-05 | 申请/专利权人 | 昆明理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 云南省昆明市五华区学府路253号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C22B1/00搜分类 硅 氧化铜 铜矿搜索 |
公开/公告日: | 2023-05-26 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN114015864B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |