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摘 要:本发明涉及一种低熔点合金相变材料的制备方法,属于相变材料制备技术领域。本发明去除原料Ga、In和金属A的表面氧化物;其中金属A为Sn、Bi、Zn、Al中的一种或多种;将Ga、In和金属A加入到熔炼介质中,匀速升温至预设温度保温4~6h使金属合金化得到合金化体系;其中熔炼介质为甘油或硅油;将合金化体系加热至预设温度并搅拌混匀,使其充分合金化,后将冰水混合物加入到合金化体系中以快速冷却合金样品得到低熔点合金相变材料。本发明采用甘油或硅油为熔炼介质,可有效解决低熔点合金在熔炼过程中的氧化、合金化不充分等问题,低熔点合金相变材料,单位体积具有更大的潜热,可大幅提高其热容量,有效降低相变材料体积比例;同时具有更好的稳定性,更高的热导率。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202111253433.4 | 专利名称: | 一种低熔点合金相变材料的制备方法 |
申请日: | 2021-10-27 | 申请/专利权人 | 昆明理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 云南省昆明市五华区学府路253号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C22C30/04搜分类 低 港口搜索 |
公开/公告日: | 2022-06-10 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN113881887B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |