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摘 要:本发明公开一种高延伸率SnBi系合金的制备方法,属于电子封装材料技术领域。本发明将SnBi合金进行真空熔炼,熔炼条件为500‑800℃,保温1h,在随后降温至300‑400℃时放入水中冷却;冷却后的样品进行室温压缩处理,压缩率在50‑80%之间;最后将压缩后的样品进行退火处理,在120℃保温1h,制成高延伸率样品;本发明所述制备方法可细化SnBi合金基体组织,从而大幅提高该合金的延伸率,改善SnBi合金基体的脆性问题。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202111606668.7 | 专利名称: | 一种高延伸率SnBi系合金的制备方法 |
申请日: | 2021-12-26 | 申请/专利权人 | 昆明理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 云南省昆明市五华区学府路253号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C22C1/02搜分类 Sn搜索 |
公开/公告日: | 2023-08-22 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN115011820B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |