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摘 要:本发明公开了一种结合高温高压烧结制备的双相高熵陶瓷及其制备方法。本发明通过结合高温高压烧结制备的双相高熵陶瓷,所述双相高熵陶瓷由t相的RETaO4陶瓷以及t相氧化锆陶瓷组成;其中,RE具体为Sc、Y和镧系稀土元素,以及所述双相高熵陶瓷的制备方法,得到了室温下能够以t相稳定存在的RETaO4陶瓷,使其在室温下也能够产生极高的断裂韧性,同时与t相的高熵氧化锆陶瓷稳定共存,使得最终的材料具有热导率低、热膨胀系数高和硬度高等性能优势,进一步提高了材料的工作温度和应用范围。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202210546799.9 | 专利名称: | 一种结合高温高压烧结制备的双相高熵陶瓷及其制备方法 |
申请日: | 2022-05-19 | 申请/专利权人 | 昆明理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 云南省昆明市一二一大街文昌路68号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C04B35/48搜分类 陶瓷 高温高压 烧结搜索 |
公开/公告日: | 2023-08-18 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN114804864B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |