基于激光直写金属掺杂Sb2Te薄膜的自干涉曝光方法

摘     要：本发明公开了一种基于激光直写金属掺杂Sb2Te薄膜的自干涉曝光方法，该方法包括以下步骤：S1、在基片上沉积金属掺杂Sb2Te薄膜；S2、对所述薄膜进行曝光，基于激光诱导薄膜表面产生等离子体与激光间的干涉在薄膜表面产生晶化，得到亚波长尺寸的周期性表面结构。本发明利用金属掺杂Sb2Te薄膜在激光辐射下产生等离子体并与激光干涉形成周期性光场导致薄膜晶化从而产生周期性表面结构，无需超强超短激光脉冲即可得到等离子体，且能实现自干涉曝光得到亚波长尺寸的光栅结构，可用于亚波长尺寸的光电子器件制造。

著 录 项： 

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期

  法律信息

  备注