本发明公开了一种非易失性可重置双向开关装置,包含SOI晶圆的硅衬底,SOI晶圆的硅衬底上方为SOI晶圆的衬底绝缘层,SOI晶圆的衬底绝缘层的上方为半导体薄膜、双括号非易失性电荷存储层的部分区域、半导体隧穿层a、半导体隧穿层b、可互换电极内嵌区a、可互换电极内嵌区b、栅电极绝缘层的部分区域、栅电极、防电荷流失用绝缘层和绝缘介质阻挡层的部分区域。本发明所述器件为一种非易失性可重置双向开关装置及其制造方法,装置具有左右对称结构,可互换电极a和可互换电极b可彼此互换,实现本发明的双向开关功能。
📄 2021107338023
📂 H10B41_30
👤 沈阳工业大学
📅 2021-06-30