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9 件在售专利
本实用新型公开了一种变频扫描激光器恒流驱动电路。它包括主控器(1)、恒流驱动单元(2)、过压保护单元(3)和电源保护单元(4);所述主控器(1)的输出端与恒流驱动单元(2)的输入端电性连接,所述主控器(1)的输入端与过压保护单元(3)的输出端电性连接,所述恒流驱动单元(2)的输入端与过压保护单元(3)的输出端电性连接,所述过压保护单元(3)的输入端与电源保护单元(4)的输出端电性连接,过压保护单元(3)的输入端外接供电电源。本实用新型可以在激光器两端工作电压超出正常范围时,实时降低激光器的驱动电压,以保护激光器正常运行。
📄 2023218802938 📂 H01S5_042 👤 上海科恒特科技有限公司 📅 2023-07-18
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本实用新型公开了高稳定光纤激光器恒流驱动系统,所述激光器LD的阳极接驱动电源,所述激光器LD的阴极连接接场效应管MOSFET,所述场效应管MOSFET连接采样电路,所述采样电路经控制器连接电流慢启动电路,该电流慢启动电路连接在限流电路和场效应管MOSFET之间;其中,所述采样电路包括采样电阻、放大电路和反馈回路,所述电流慢启动电路包括PWM控制模块,连接误差放大器U1‑A的同向输入端和二极管D1的阳极公共端,并接收运算放大器U1‑B的输出的反馈电压Vf,通过控制输出信号的占空比实现实现0~1.2A电流可调,且恒流精度误差为±0.002mA,优于国外一些主流品牌;限流电路和电流慢启动方法可以有效避免过大电流对LD的冲击或损害。
📄 2023226770996 📂 H01S5_042 👤 重庆科技大学 📅 2023-10-07
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本发明公开了一种半导体激光器脉冲电源微小电流预启动方法,该方法的实现是基于脉冲驱动电源系统;所述脉冲驱动电源系统包括输入电压源Uin、半导体激光器泵浦LD、续流二极管D、电流给定环节、闭环调节电路和采样电阻。该方法内容为:在所述脉冲驱动电源系统产生额定脉冲电流指令以前,预先产生一个较小的电流指令信号,此时半导体激光器不会发射激光,待微小电流控制稳定后,电流给定环节再产生额定脉冲电流的指令信号,然后再控制半导体激光器电流按照额定电流指令信号要求的斜率上升到所需的额定电流值。本发明解决了在脉冲电流上升过程中出现的振荡和过冲问题,以及负载电流相对于指令信号的延迟问题。
📄 2018100724660 📂 H01S5_042 👤 燕山大学 📅 2018-01-25
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本发明公开了一种具有时延隐藏特性的激光混沌扩频变换系统,通过外腔半导体激光器产生的混沌光信号经过由光电相位调制器PM1、PM2和高色散介质组成的时间透镜进行扩频变换;具体讲,在时域傅里叶变换进行时频转换的基础上,通过增大色散量来实现了混沌频谱展宽,通过调整驱动信号周期与混沌激光器反馈延时时间的关系,实现了时延标签隐藏,根据混沌信号类噪声特性,经过扩频变换后输出混沌激光信号实现了频谱平坦,且具有大的有效带宽。
📄 2017100102390 📂 H01S5_042 👤 电子科技大学 📅 2017-01-06
¥0.0
本发明公开了一种具有时延隐藏特性的激光混沌扩频变换系统,通过外腔半导体激光器产生的混沌光信号经过由光电相位调制器和高色散介质组成的时间透镜进行扩频变换;具体讲,在时域傅里叶变换进行时频转换的基础上,通过增大色散量来实现了混沌频谱展宽,通过调整驱动信号周期与混沌激光器反馈延时时间的关系,实现了时延标签隐藏,根据混沌信号类噪声特性,经过扩频变换后输出混沌激光信号实现了频谱平坦,且具有大的有效带宽。
📄 2017100102403 📂 H01S5_042 👤 电子科技大学 📅 2017-01-06
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激光发射装置
发明 已授权
本申请实施例提供一种激光发射装置,该激光发射装置包括:驱动组件、激光发射器、储能模块以及电路板;驱动组件与激光发射器电连接,激光发射器与储能模块电连接,储能模块与外接电源电连接,驱动组件、储能模块、外接电源用于产生驱动激光发射器所需的电信号;驱动组件、激光发射器和储能模块固定于电路板上方,电路板中设置有接地层;激光发射器的下表面与电路板的接地层之间的距离小于或等于0.1毫米。本申请的激光发射器提高了电流的变化速率,进而提高了激光发射的峰值功率,增强了激光发射的抗干扰能力。
📄 2020103138803 📂 H01S5_042 👤 深圳市汇顶科技股份有限公司 📅 2020-04-20
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本发明公开一种激光器驱动电路及激光设备,所述激光器驱动电路包括第一N沟道MOS管、第二N沟道MOS管、电流镜以及第一电阻。第一N沟道MOS管的漏极与第一电阻的第一端连接,第一电阻的第二端与预设供电电源连接;第一N沟道MOS管分别与预设激光器以及电流镜连接;第一N沟道MOS管的栅极处获取预设直流电压信号;第一N沟道MOS管的源极与第二N沟道MOS管的漏极连接;第二N沟道MOS管的栅极处获取预设CML信号。由于第二N沟道MOS管即输入管并非为尾电流管,也就规避了使用尺寸较大的尾电流管,减小了器件面积;引入的第一电阻可提高调制电流,提高了驱动能力,解决了无法兼顾驱动能力与器件面积的技术问题。
📄 2019106027602 📂 H01S5_042 👤 湖北秉正讯腾科技有限公司 📅 2019-07-04
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本发明公开了一种半导体激光器平均功率控制环路和消光比控制环路包括激光器、半导体激光器驱动电路、背光二极管、基准电流源、平均功率控制环路、消光比控制环路、功率控制逻辑电路和数模转换器,所述半导体激光器驱动电路的输入信号为一对差分模式数据信号以及一对差分模式突发使能禁能信号;本发明采用双环功率控制电路结构,功率控制逻辑电路根据平均功率反馈信号和消光比反馈信号,调节偏置电流和调制电流,使得输出光功率和消光比达到目标值,电路运行稳定、可靠性高。
📄 2019100156169 📂 H01S5_042 👤 淮阴工学院 📅 2019-01-08
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本发明公开了一种用于大功率VCSEL芯片的散热基板,包括用来安装VCSEL芯片本体的电极A和电极B,VCSEL芯片本体安装在电极A上,VCSEL芯片本体上的芯片引线节点通过电流引线与电极B的表面连接。相比现有的技术,引线条数增加,电流分布的均匀较好,可通入的电流增大,并使得芯片的散热均匀,可以解决现有技术中的引线不均匀而导致的电流不均匀的问题并使得芯片的散热能力增强。
📄 2017104428182 📂 H01S5_042 👤 西安理工大学 📅 2017-06-13
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实用新型 已授权

一种变频扫描激光器恒流驱动电路

2023218802938 · 上海科恒特科技有限公司
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实用新型 已授权

高稳定光纤激光器恒流驱动系统

2023226770996 · 重庆科技大学
¥0.0
发明 已授权

半导体激光器脉冲电源微小电流预启动方法

2018100724660 · 燕山大学
¥0.0
发明 已授权

一种具有时延隐藏特性的激光混沌扩频变换系统

2017100102390 · 电子科技大学
¥0.0
发明 已授权

一种具有时延隐藏特性的激光混沌扩频变换系统

2017100102403 · 电子科技大学
¥0.0
发明 已授权

激光发射装置

2020103138803 · 深圳市汇顶科技股份有限公司
¥0.0
发明 已授权

激光器驱动电路及激光设备

2019106027602 · 湖北秉正讯腾科技有限公司
¥0.0
发明 已授权

半导体激光器的平均功率及消光比控制电路

2019100156169 · 淮阴工学院
¥0.0
发明 已授权

一种用于大功率VCSEL芯片的散热基板

2017104428182 · 西安理工大学
¥0.0

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转让方:××半导体有限公司
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交易类型:转让
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钙钛矿光伏组件技术

转让方:××科技公司
受让方:××能源集团
交易类型:开放许可
交易金额:¥50万/年