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本发明公开了一种高介电性能的Eu3+掺杂铌酸锶钙钠钨青铜发光铁电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料的结构通式为Sr1.90Ca0.15Na0.90‑3xEuxNb5O15，其中x的取值为0.02～0.06。本发明通过配料、预烧、球磨、造粒、压片、烧结等传统固相的工艺步骤制备Sr1.90Ca0.15Na0.90‑3xEuxNb5O15陶瓷，制备方法成本低廉，操作方便。本发明通过在陶瓷材料中掺杂Eu3+，明显提高了其介电、铁电性能，其中x＝0.05时，其最大介电常数为1270、居里温度为263℃、剩余极化强度为6.6μC/cm2、室温介电常数达到1700。除此之外，本发明陶瓷材料还具有良好的光致发光性能，在395nm光激发都能在617nm处有很强的红光发射。

本发明公开了一种高发光热稳定性的Eu‑Bi共掺杂钨青铜结构发光铁电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料的结构通式为Sr1.90Ca0.15Na0.81‑3xEuyBixNb5O15，其中x的取值为0.003～0.008、y的取值为0.02～0.06，其采用传统高温固相法制备而成，制备方法成本低廉，操作方便。本发明通过在陶瓷材料中掺杂Eu和Bi，不但使其具有发光性能，且显著提高了其发光热稳定性，并改善了其介电铁电性能，其中x＝0.005、y＝0.03时，其发光热稳定性为67％，最大介电常数为1345、居里温度为272℃、剩余极化强度为4.29μC/cm2、矫顽场为21.41kV/cm。

本发明公开了一种高热稳定性钛酸铜镉X8R陶瓷材料，该陶瓷材料是以Cd(NO3)2·4H2O、Cu(NO3)2·3H2O、Ti(C4H9O)4为原料，冰醋酸为螯合剂，先采用溶胶‑凝胶法制备前驱粉体，然后将前驱粉体在较低温度下煅烧得到的能在分子水平上混合且均匀性较好、活性高的CdCu3Ti4O12陶瓷粉体进一步烧结，即可得到高热稳定性钛酸铜镉X8R陶瓷材料。本发明陶瓷材料的制备方法简单、重复性好、成品率高且反应温度较低、节省能源，该陶瓷材料介电性能较优，具有高的温度稳定性，1kHz时‑55℃～150℃范围内其静电容量变化率在‑13.21％～14.02％范围内，符合X8R陶瓷电容器的参数要求，具有广泛的应用前景。

本发明公开了一种高击穿场强钛酸锆铜镉巨介电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料由CdCu3ZrxTi4‑xO12表示的材料组成，其中x的取值为0.05～0.20，其是以Cd(NO3)2·4H2O、Cu(NO3)2·3H2O、ZrO(NO3)2·2H2O、Ti(C4H9O)4为原料，冰醋酸为螯合剂，先采用溶胶‑凝胶法制备前驱粉体，并将前驱粉体在较低温度下煅烧，得到能在分子水平上混合且均匀性较好、活性高的CdCu3ZrxTi4‑xO12陶瓷粉体，然后将陶瓷粉体经造粒、压片、排胶、烧结制备而成。本发明陶瓷材料的制备方法简单、反应温度较低、重复性好、成品率高，且陶瓷材料的介电性能优良，具有较高的击穿场强，实用性强，因此在高压电容等领域具有广泛的应用前景。

本发明公开了LiWVO6‑K2MoO4基复合陶瓷微波材料及其制备方法，该复合陶瓷的化学通式可以写成(1‑x)LiWVO6‑xK2MoO4，其中x为质量百分数(x＝60，65，70，75，80，90wt％)。K2MoO4陶瓷微波性能优异，烧结温度低，在540℃左右，εr～7.5，Qf～22300GHz，但其τf值为‑70ppm/℃。最近发现一种钒酸盐LiWVO6，具有单斜结构，在700℃下高温烧结得到的介电性能为：εr～11.5，Qf～13260GHz，τf～+163.8ppm/℃。本发明通过冷烧结的方法，在200℃以下制备致密化的LiWVO6‑K2MoO4复合陶瓷，获得近零谐振频率温度系数的(1‑x)LiWVO6‑xK2MoO4基复合陶瓷微波材料。该复合陶瓷材料可广泛应用于谐振器，滤波器等微波器件。

本发明公开了一种超低介电常数微波介质陶瓷材料，由以下质量百分比组分原料烧结制成：熔融硅微粉占93～95％，纳米石英粉占2～4％，CaF2占0.5～2.5％，MnO2占0.5～2.5％，所述超低介电常数微波介质陶瓷材料的主物相是晶态SiO2。本发明还公开了超低介电常数微波介质陶瓷材料的制备方法，S1、研磨混合CaF2和MnO2粉体；S2、混合熔融硅微粉及纳米石英粉并添加步骤S1获得的CaF2和MnO2混合粉体再进行湿法球磨得到混合物；S3、烘干步骤S2获得的混合物并造粒压制成坯料，将坯料进行烧结得到陶瓷材料。本发明超低介电常数微波介质陶瓷材料原料来源广泛、制备方法简便，有利于实际生产应用，获得的陶瓷材料介电常数低，谐振频率温度系数近零，可广泛应用于微波基板、导弹天线罩等微波器件的制造。

本发明公开了一种低温烧结SiO2基微波介质陶瓷材料，由以下质量比组分原料烧结制成：非晶SiO2粉末︰MgF2粉末︰MnCO3粉末＝1︰(0.05‑x)︰x，0.015≤x≤0.03，所述低温烧结SiO2基微波介质陶瓷材料的主物相是晶态SiO2。本发明还公开了低温烧结SiO2基微波介质陶瓷材料的制备方法，S1、按比例混合MgF2粉末和MnCO3粉末，并进行加热保温处理得到复合助烧剂粉末；S2、按比例混合复合助烧剂粉末与非晶SiO2粉末进行湿法球磨得到混合物；S3、烘干步骤S2获得的混合物并造粒压制成坯料，将坯料进行烧结得到陶瓷材料。本发明低温烧结SiO2基微波介质陶瓷材料原料来源广泛、制备方法简便，获得的陶瓷材料介电常数低，品质因数高，烧结温度低，可广泛应用于微波基板、导弹天线罩等微波器件的制造。

本发明公开了一种具有中介电常数和超低介电损耗的微波介质陶瓷、制备方法及其应用。本发明微波介质陶瓷的化学表达式为：Sr2(Ti1‑xZrx)O4，其中0

📄 2018100103237 📂 H01B3_12 👤 宁波猎知乐科技咨询有限公司 📅 2018-01-05

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