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本申请提供一种衰减相移掩模版及其制程方法，涉及半导体制程技术领域。本申请通过提供包括相对设置的第一表面及第二表面的透明基板，接着在透明基板的第一表面上形成遮光膜层，并遮光膜层上蚀刻出用于表示目标掩模图案的图案沟槽，得到待处理掩模结构，而后在待处理掩模结构的与第二表面相背离的表面上沉积生长相移层，最后对生长出的相移层进行蚀刻，使残留的相移层仅附着在图案沟槽的槽壁上，使得到的衰减相移掩模版与传统衰减相移掩模版结构明显不同，无需担心相移层在蚀刻操作下会在不同位置处表现出不同的厚度尺寸，以确保制备出的衰减相移掩模版能够达到预期衰减数值，提升掩模版制备良品率。

📄 2020111366483 📂 G03F1_32 👤 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 📅 2020-10-22

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🔋 高能量密度固态电解质材料与制备工艺

预算：¥50-100万截止：2026-08-30发布方：××新能源科技响应：8人

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SiC功率器件工艺专利

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钙钛矿光伏组件技术

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衰减相移掩模版及其制程方法