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本申请提供一种非线性晶体温控装置，属于激光器制造领域。其晶体托块设置在支架底座的正上方，且晶体托块的顶部开设有容置口；可调节铜片可移动地设置在容置口中，并与容置口的侧壁共同构成用于容置非线性晶体的容置槽；保温绝缘外壳罩设在晶体托块的正上方，且相对两端处均开设有第一开口，保温绝缘外壳的相对两个侧壁的中部均开设有第二开口；半导体电子制冷片安装于支架底座与晶体托块之间，热敏电阻探头嵌入晶体托块中，电源电连接于数显电脑温控器，数显电脑温控器分别与半导体电子制冷片、热敏电阻探头电连接，用于对非线性晶体进行温度控制。该装置结构简单、成本较低，且加热效果好、操作安全。

本发明公开了一类红外非线性光学晶体Ba10Zn7M6Q26及其制备方法与用途。该类非线性光学晶体的分子式为Ba10Zn7M6Q26，其中，M选自In或Ga，Q选自S或Se。该类晶体属于四方晶系，空间群为I‑42m。以分子式为Ba10Zn7In6S26的晶体化合物为例，在2.05微米的激光下，该化合物是I型非相位匹配非线性光学材料，并且在30～46μm颗粒度范围，其粉末倍频响应是商用AgGaS2的4.1倍。在1.06微米的激光下，并且在150～210μm颗粒度范围，其激光损伤阈值是AgGaS2的37.2倍。该类化合物在军事和民用上有着重要的应用前景，可用于光电对抗、资源探测、空间反导和通讯等方面。

本发明公开了一种硫酸二氟锑铯非线性光学晶体及其制备方法和应用，其采用室温溶液法制备硫酸二氟锑铯非线性光学晶体，该晶体的分子式为CsSbSO4F2，分子量为388.72，属于正交晶系，空间群为Pna21，晶胞参数为：a=9.9051(5)Å，b=11.6070(8)Å，c=5.2822(3)Å，V=607.29(6)Å3。该晶体的非线性光学效应约为0.65KDP，紫外截止边为233 nm，对可见光及近红外波段具有较高的透过率。本发明制备的CsSbSO4F2晶体透明无包裹体，具有生长速度较快、成本低、物理化学性能稳定、机械性能好、易于加工等优点。适用于制作倍频发生器、二次谐波发生器、上下频率转换器、光参量振荡器、激光致盲武器、激光致盲武器、激光光盘、激光投影电视、光计算和光纤通讯等非线性光学器件。