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本发明属于材料制备技术领域,具体涉及一种对温度敏感的发光半导体材料,分子式为C14N4H30Cu2PbI6,属于立方晶系,Pa‑3空间群,晶胞参数为Z=4,晶胞体积为该半导体采用三乙烯二胺、CuI、PbI2为原料,甲醇、乙腈和HI为混合溶剂的溶剂热方法合成,工艺简单、产率高。化合物在362nm紫外光激发下可以发射强烈红光,最大发射波长为727nm,在80‑300K温度范围内,荧光强度随温度升高而线性降低,荧光波长都随温度升高而线性增大,为温度敏感的半导体,在红外‑近红外荧光温度传感方面具有重要应用价值。
📄 2019102845325 📂 C09K11_06 👤 济宁学院 📅 2019-04-10
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🔋 高能量密度固态电解质材料与制备工艺
预算:¥50-100万截止:2026-08-30发布方:××新能源科技响应:8人

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固态锂电池电解质专利包

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CRISPR基因编辑技术

转让方:××大学
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交易类型:转让
交易金额:¥1,200万

SiC功率器件工艺专利

转让方:××半导体有限公司
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交易类型:转让
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钙钛矿光伏组件技术

转让方:××科技公司
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交易类型:开放许可
交易金额:¥50万/年