本发明属于材料制备技术领域,具体涉及一种对温度敏感的发光半导体材料,分子式为C14N4H30Cu2PbI6,属于立方晶系,Pa‑3空间群,晶胞参数为Z=4,晶胞体积为该半导体采用三乙烯二胺、CuI、PbI2为原料,甲醇、乙腈和HI为混合溶剂的溶剂热方法合成,工艺简单、产率高。化合物在362nm紫外光激发下可以发射强烈红光,最大发射波长为727nm,在80‑300K温度范围内,荧光强度随温度升高而线性降低,荧光波长都随温度升高而线性增大,为温度敏感的半导体,在红外‑近红外荧光温度传感方面具有重要应用价值。
📄 2019102845325
📂 C09K11_06
👤 济宁学院
📅 2019-04-10