专利名称：一种通过原子层沉积技术辅助合成MOFs壳层材料的方法      申请号：2019100669780     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：纳米材料 原子层沉积   相似专利 发布日：2025/04/14  
摘要： 本发明提供了一种通过原子层沉积技术辅助合成MOFs壳层材料的方法。通过原子层沉积法在载体表面沉积一层氧化物（Al2O3或ZnO），再利用沉积的氧化物壳层为牺牲模板，与有机配体反应，得到MOFs壳层材料。显然，采用该方法能够实现在难以充当牺牲模板的载体（如CeO2）表面包覆MOFs材料，而且可以通过改变原子层沉积前驱体的种类，得到不同的MOFs壳层材料。本发明制备条件温和，操作简单，具有普适性，丰富了MOFs壳层材料的制备方法。

专利名称：一种原子层沉积技术生长VxC纳米材料的方法      申请号：2020113264643     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：C 港口 纳米材料 生长 原子层沉积   相似专利 发布日：2023/10/17  
摘要： 本发明公开了一种原子层沉积技术生长VxC纳米材料的方法，属于纳米材料领域，在真空条件下，以脉冲形式向反应腔中通入气化后的三异丙氧基氧化钒，进行沉积，得到沉积有V源的衬底，吹扫后再以脉冲形式通入气相碳源，与沉积在衬底上的V源进行单原子反应，得到单原子层的VxC纳米材料，再次进行吹扫，之后循环上述步骤1～2000次，即可制备得到原子层沉积技术生长VxC纳米材料，其中，所述碳源为乙醚、丙醚、丁醚、或四氢呋喃的一种。本发明采用三异丙氧基氧化钒与碳源组合，将其进一步应用在原子层沉积技术中，使其能够在纳米级的衬底上沉积形成保型性较好的含VxC沉积层。

专利名称：一种利用原子层沉积技术制备硫/碳@金属氧化物纳米管锂硫电池正极材料的方法      申请号：2019107820184     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：利用 金属氧化 原子层沉积   相似专利 发布日：2025/09/15  

应用场景：高能量密度锂硫电池制造;电动汽车动力电池系统;大规模储能电站应用;便携式电子设备电源优化