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本发明公开了一种氧化镓pn异质结二极管,由下至上为阴极欧姆电极、Ga2O3衬底区、Ga2O3漂移区、双层NiOX P型结终端扩展区、阳极欧姆电极,还包括位于所述双层NiOX P型结终端扩展区和阳极欧姆电极上表面的钝化层;其中,所述双层NiOX P型结终端扩展区由下至上包括第一层轻掺杂NiOX P型结终端扩展区和第二层重掺杂NiOX P型结终端扩展区,所述第二层重掺杂NiOX P型结终端扩展区的宽度与所述阳极欧姆电极宽度一致,所述第一层轻掺杂NiOX P型结终端扩展区的超出所述阳极欧姆电极的部分设置有单级台阶终端或者双级台阶终端。本发明的氧化镓pn异质结二极管具有超高耐压高功率品质等优势。
📄 2023103468489 📂 H01L29_06 👤 重庆理工大学 📅 2023-04-03
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发明 已授权

一种氧化镓pn异质结二极管

2023103468489 · 重庆理工大学
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CRISPR基因编辑技术

转让方:××大学
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SiC功率器件工艺专利

转让方:××半导体有限公司
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交易类型:转让
交易金额:¥680万
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钙钛矿光伏组件技术

转让方:××科技公司
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交易金额:¥50万/年