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  • 专利名称：一种SiCw-ZrB2-ZrC陶瓷复合粉体及其制备方法      申请号：2017101577819     转让价格：面议  收藏
    法律状态：已下证   类型：发明   关键词：陶瓷 C IC R 港口 Icw   相似专利 发布日：2023/08/21  
    摘要： 一种SiCw‑ZrB2‑ZrC陶瓷复合粉体，由SiC晶须和ZrB2‑ZrC陶瓷基体组成，SiC晶须均匀分散在ZrB2‑ZrC陶瓷基体周围或均匀生长在ZrB2‑ZrC陶瓷基体表面，本发明还提供了制备SiCw‑ZrB2‑ZrC陶瓷复合粉体的方法，首先合成含硼、硅、锆的陶瓷前驱体聚合物；然后将前驱体聚合物干燥、球磨，得到前驱体粉体；最后将前驱体粉体装入石墨坩埚中，在氩气保护下进行高温裂解，本发明SiC晶须ZrB2‑ZrC陶瓷基体在前驱体裂解过程中同步原位生长得到，省去了晶须的预合成与混合过程，将晶须的合成、引入以及原料粉体的制备合二为一，制备工艺简单、生产成本低，而且所得到的复合粉体形貌均一、晶须均匀分散、尺寸均匀、界面相容性良好。
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