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专利名称:
一种半导体材料加工用边角打磨装置
申请号:
2023208788258
转让价格:面议
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法律状态:已下证 类型:实用新型 关键词:
半导体 半导体材料加工
相似专利
发布日:2023/06/06
摘要: 本实用新型提供一种半导体材料加工用边角打磨装置,包括机械臂以及用于安装打磨头转换器,机械臂一端设有用于调节转换器高度的调节组件,调节组件的一端固定连接有转动组件,转动组件的一端与转换器的固定连接,通过转动蜗杆一端的摇把带动蜗轮进行转动,由于蜗轮一侧中心处设有横杆,横杆穿设连接箱与转换器固定连接,且转换器的曲面活动连接多个不同的打磨头,当蜗轮转动时候,可带动转换器转动,更换所需的打磨头,在一定程度上可以针对不同外观的半导体材料进行打磨。
专利名称:
一种氮化硼刻蚀的方法(无证书原件,有扫描件)
申请号:
2017100436531
转让价格:面议
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法律状态:已下证 类型:发明 关键词:
半导体材料加工 微纳制造 半导体器件制造 光刻 压印法 电介质材料 氮化硼薄膜蚀刻 薄膜光刻 刻蚀图案
相似专利
发布日:2025/04/17
摘要: 本发明公开了一种氮化硼刻蚀的方法;本发明采用压印法以表面有图案的聚二甲基硅氧烷(PDMS)模板为印章,将氧化石墨烯溶液转印到氮化硼薄膜表面,然后在硫化钼蒸气中在一定温度下保温一定时间,在氮化硼表面刻蚀出图案,完成PDMS表面的图案向氮化硼表面的转移。本发明通过二硫化钼蒸气催化分解氮化硼,降低了氮化硼光刻条件,方法简单、方便和可操作性强。
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