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专利名称：一种保护栅源电极与栅漏电极的VDMOS功率器件申请号：2023212615904 转让价格：面议收藏
法律状态：已下证类型：实用新型关键词：电子元器件源电极电子设备和元器件漏电极相似专利发布日：2024/08/12
摘要：本实用新型提供一种保护栅源电极与栅漏电极的VDMOS功率器件，包括箱体，电极片安装于箱体内部，箱体内侧顶部且位于电极片的外周安装有制冷组件，制冷组件的一端与换热组件连接，电极片一端与VDMOS器件连接，另一端通过防脱机构与调压模块电性连接，控制器分别连接调压模块及换热组件；通过温度传感器与循环泵配合使用实现自动对过热的电极片进行散热保护的功能，降低电极片电极连接位置受到高温受损的风险，延长了电极片的使用寿命；通过调压模块101可对电极片201的通电电压进行调节，便于操作人员根据实际使用需求调整电极片201通电电压，降低电极片电极连接位置通电电压过高而可能受损的风险，延长了电极片的使用寿命。

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