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本发明涉及半导体加工的技术领域,更具体地,涉及一种基于滚筒的基于滚筒的芯片扩张及巨量转移方法,包括以下步骤:S10.选择柔性拉伸膜,将芯片转移到临时键合胶层;S20.分别沿X方向及Y方向拉伸柔性拉伸膜,直至X方向及Y方向上芯片间距扩张至设定值;S30.激光照射临时键合胶层,芯片脱离临时键合胶层并转移至承载基板,完成单种类型芯片的巨量转移;S40.重复步骤S10~S30,依次完成多种类型芯片的巨量转移;步骤S20中,X方向、Y方向至少一个方向上,控制第一滚筒与第二滚筒之间的转速比或控制第一滚筒与第二滚筒之间的距离实现柔性拉伸膜的拉伸扩张。本发明柔性拉伸膜各处可均匀拉伸,芯片间距可均匀扩张,从而可有效提高芯片转移的准确率。
📄 2021104252266 📂 H01L21_67 👤 广东工业大学 📅 2021-04-20
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发明 已授权

一种基于滚筒的芯片扩张及巨量转移方法

2021104252266 · 广东工业大学
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🔋 高能量密度固态电解质材料与制备工艺
预算:¥50-100万截止:2026-08-30发布方:××新能源科技响应:8人

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固态锂电池电解质专利包

转让方:中国科学院××研究所
受让方:××新能源科技有限公司
交易类型:独占许可
交易金额:¥320万
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CRISPR基因编辑技术

转让方:××大学
受让方:××生物医药有限公司
交易类型:转让
交易金额:¥1,200万
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SiC功率器件工艺专利

转让方:××半导体有限公司
受让方:××汽车电子集团
交易类型:转让
交易金额:¥680万
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钙钛矿光伏组件技术

转让方:××科技公司
受让方:××能源集团
交易类型:开放许可
交易金额:¥50万/年